SGW20N60HS - G20N60HS - IGBTs & DuoPacks - 20A 600V TO247 IGBT

SGW20N60HS, Infineon Technologies tarafından yüksek hızlı güç anahtarlama uygulamaları için üretilmiş, NPT (Non-Punch-Through) teknolojisine sahip yüksek performanslı bir IGBT (Yalıtımlı Kapılı Bipolar Transistör) bileşenidir. Güçlü yapısıyla endüstriyel standartlardaki sistemlerde yüksek verimlilik sunar.

SGW20N60HS Temel Teknik Özellikleri:

• Maksimum Kollektör-Emetör Voltajı: 600V

• Sürekli Kollektör Akımı: 25°C'de 36A (100°C'de 20A nominal akım)

• Maksimum Güç Dağılımı: 178W / 179W

• Maksimum Kapı-Emetör Voltajı: ±20V

• Teknoloji Yapısı: High Speed NPT-Technology (30 kHz ve üzeri yüksek frekanslı operasyonlar için optimize edilmiştir)

• Düşük Kapanma Enerjisi: Önceki nesillere kıyasla %30 daha düşük anahtarlama kaybı sunar.

• Kılıf / Paket Tipi: Delik montaj (Through Hole) uyumlu, yüksek ısı dağılımı sağlayan TO-247 (TO-247-3).

• Kısa Devre Dayanım Süresi: 10 µs