SGP30N60HS - G30N60HS - 30A. 600V. High Speed IGBT in NPT-technology TO-220

SGP30N60HS (Üzerindeki baskı koduyla G30N60HS), Infineon Technologies tarafından NPT (Non-Punch-Through) teknolojisiyle üretilmiş, yüksek frekanslı anahtarlama devreleri için optimize edilmiş N-Kanal Yüksek Hızlı Güç IGBT transistörüdür.
SGP30N60HS özellikle 30 kHz üzerindeki yüksek frekanslarda çalışan kaynak makineleri, indüksiyon ısıtıcılar, kesintisiz güç kaynakları (UPS) ve güneş enerjisi invertörleri için tasarlanmıştır.

SGP30N60HS Teknik Özellikleri

• Maksimum Kollektör-Emiter Gerilimi (V_CE): 600V

• Sürekli Kollektör Akımı (I_C): 30A (100°C'de) / 41A (25°C'de)

• Darbe Akımı (Pulsed I_C): Anlık 112A sıçrama dayanımı

• Maksimum Güç Tüketimi (P_tot): 250W (25°C kasa sıcaklığında)

• Doyum Gerilimi (V_CE(sat)): Tipik 2.8V (25°C'de)

• Kısa Devre Dayanım Süresi (t_SC): Maksimum 10 µs

• Kılıf Tipi (Package): TO-220 (PG-TO-220-3-1 / Delik içi montaj)

• Bacak Dizilimi (Pinout): Önden bakıldığında soldan sağa: 1: Gate (G), 2: Collector (C), 3: Emitter (E)