IPD068N10N3G, Infineon Technologies tarafından OptiMOS™ 3 serisi altında üretilen, çok yüksek akım kapasitesine ve düşük iç dirence sahip N-Kanal Güç MOSFET transistörüdür.

IPD068N10N3G Teknik Özellikleri

• Maksimum Gerilim (V_DSS): 100V

• Sürekli Akım (I_D): 90A

• Maksimum Güç Tüketimi (P_D): 150W

• İç Direnç (R_DS(on)): Maksimum 6.8 mΩ (0.0068 Ω) (Çok düşük iç direnci sayesinde iletim kayıpları ve ısınma seviyesi minimum düzeydedir)

• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ile +175°C arası

• Kılıf Tipi (Package): TO-252 (DPAK olarak da bilinen, yüzey montaj / SMD kılıf)

• Bacak Dizilimi (Pinout): Üstten bakıldığında soldan sağa: 1: Gate (G), 2/Büyük Sekme: Drain (D), 3: Source (S)

Yorumlar

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!

Yorum Yaz

Önerileriniz

Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.

Ürün resmi kalitesiz, bozuk veya görüntülenemiyor.

Ürün açıklamasında eksik bilgiler bulunuyor.

Ürün bilgilerinde hatalar bulunuyor.

Ürün fiyatı diğer sitelerden daha pahalı.

Bu ürüne benzer farklı alternatifler olmalı.

IPD068N10N3G , TO-252 , 068N10N , 90A. 100V N KANAL MOSFET

Tavsiye Et