Yorum Yap
0

GT50JR22 , 50JR22 , IGBT 600 V 50 A 230 W Through Hole TO-3P(N)

Stok Kodu
11-6354
4,00 USD + KDV
216,00 TL
Kalan Stok :  50
GT50JR22 , 50JR22 , IGBT 600 V 50 A 230 W Through Hole TO-3P(N)
Manufacturer
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Packaging
Tube
Part Status
Active
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 50A
Power - Max
230 W
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
-
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P(N)
Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
GT50JR22 , 50JR22 , IGBT 600 V 50 A 230 W Through Hole TO-3P(N) GT50JR22 , 50JR22 , IGBT 600 V 50 A 230 W Through Hole TO-3P(N) MOSFET TRANSISTOR hızlı kargo, uygun fiyat hemen satın al | Çakır Elektronik 11-6354
GT50JR22 , 50JR22 , IGBT 600 V 50 A 230 W Through Hole TO-3P(N)

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.