Yorum Yap
0
GT50JR22 , 50JR22 , IGBT 600 V 50 A 230 W Through Hole TO-3P(N)
Kategori
Stok Kodu
11-6354
4,00 USD + KDV
240,00 TL
Kalan Stok : 42
GT50JR22 , 50JR22 , IGBT 600 V 50 A 230 W Through Hole TO-3P(N)
Yüksek güç gerektiren endüstriyel uygulamalar için tasarlanan GT50JR22 IGBT transistör, 600V gerilim ve 50A akım kapasitesiyle üstün anahtarlama performansı sunar. 230W maksimum güç dağılımı ve dayanıklı TO-3P(N) kılıf yapısı sayesinde yüksek ısı transferi gerçekleştirerek zorlu yükler altında kararlı çalışır.
Yüksek güç gerektiren endüstriyel uygulamalar için tasarlanan GT50JR22 IGBT transistör, 600V gerilim ve 50A akım kapasitesiyle üstün anahtarlama performansı sunar. 230W maksimum güç dağılımı ve dayanıklı TO-3P(N) kılıf yapısı sayesinde yüksek ısı transferi gerçekleştirerek zorlu yükler altında kararlı çalışır.
|
Manufacturer
|
Toshiba Semiconductor and Storage
|
|
|
Series
|
-
|
|
|
Packaging
|
Tube
|
|
|
Part Status
|
Active
|
|
|
IGBT Type
|
-
|
|
|
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
|
600 V
|
|
|
Current - Collector (Ic) (Max)
|
50 A
|
|
|
Current - Collector Pulsed (Icm)
|
100 A
|
|
|
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
|
2.2V @ 15V, 50A
|
|
|
Power - Max
|
230 W
|
|
|
Switching Energy
|
-
|
|
|
Input Type
|
Standard
|
|
|
Td (on/off) @ 25°C
|
-
|
|
|
Test Condition
|
-
|
|
|
Operating Temperature
|
175°C (TJ)
|
|
|
Mounting Type
|
Through Hole
|
|
|
Package / Case
|
TO-3P-3, SC-65-3
|
|
|
Supplier Device Package
|
TO-3P(N)
|
Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!